Il Hi-MO 7 66c adotta wafer di silicio LONGi di tipo n TaiRay (dimensione wafer 182,2 × 210 mm), tecnologia cellulare LONGi HPDC e tecnologia SMBB. È progettato secondo la dimensione ottimale del modulo di 2382 × 1134 mm, con un intervallo di potenza del modulo di 610W-625W e un'efficienza del modulo corrispondente del 22,6% -23,1%.

Il degrado del primo anno è dell'1% e il degrado annuale è dello 0,4%. Il coefficiente di temperatura di potenza del prodotto Hi-MO7 è -0,28%/° C, significativamente inferiore al prodotto TOPCon sul mercato a -0,30%/°C.

Allo stesso tempo, il design a bassa tensione del Hi-MO7 66c può risparmiare sui costi BOS come staffe e cavi nella maggior parte delle applicazioni, come scenari con tracker e scenari con velocità del vento convenzionale. Ottenendo così un LCOE inferiore e un valore cliente più elevato. Il modulo Hi-MO7 66c eredita i vantaggi dei prodotti Hi-MO7: una bifaccialità maggiore dell'80% e un coefficiente di temperatura superiore di -0,28%/°C.

Inoltre, il modulo 66c presenta caratteristiche come bassa tensione e alta corrente, che consentono un numero di stringhe maggiore. Ciò può portare a significativi risparmi sui costi nella maggior parte delle applicazioni rispetto al modulo 72c, come scenari con velocità del vento convenzionale o in combinazione con tracker. In Spagna si può ottenere una riduzione dei costi di 0,3￠/W per i tracker.